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导，理论上，逻辑制程无法直接转换生产存储制程，但发展到28纳米制程的嵌入式非易失性存储（eNVM） 技术，已能将NOR Flash 结构整合入逻辑电路中。相较于技术门槛更高的3D NAND 或无法互通的DRAM，逻辑晶圆厂转作2D平面架构的NAND与NOR Flash 是可行性最高的便捷路径。因此，这次通过“IP＋制程整合” 模式的合作，再能以最少硬件与流程更动，却能加速良率爬升与技术导入时程情况

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发布时间：13:12:23